На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFIB5N50LPBF | IRFIB5N65A | IRFIB5N65A-38 | IRFIB5N65APBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <42 Вт | <60 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | <650 В | <650 В | <650 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.7 А | <5.1 А | <5.1 А | <5.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||