IRFI9530

IRFI9530, IRFI9530G, IRFI9530GPBF, IRFI9530N

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFI9530GIRFI9530GPBFIRFI9530N
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<42 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
860 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<300 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)HEXFET®
Заряд затвора
QG
38 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard