На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFI9520G | IRFI9520GPBF | IRFI9520N | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <37 Вт | <37 Вт | <30 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.2 А | <5.2 А | <5.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <600 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <480 мОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||