IRFI540G

IRFI540, IRFI540G, IRFI540GPBF, IRFI540N, IRFI540NPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFI540GIRFI540GPBFIRFI540NIRFI540NPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220ABTO-220-3 Full Pack (Straight Leads)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<48 Вт<48 Вт<54 Вт<54 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.7 нФVds = 25V1.7 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<17 А<17 А<20 А<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<77 мОмId, Vgs = 10A, 10V<77 мОмId, Vgs = 10A, 10V<52 мОмId, Vgs = 11A, 10V<52 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®
Заряд затвора
QG
72 нCVgs = 10V72 нCVgs = 10V94 нCVgs = 10V94 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard