На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFI520G | IRFI520GPBF | IRFI520N | IRFI520NPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220F |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <37 Вт | <37 Вт | <30 Вт | <30 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 360 пФVds = 25V | 360 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <7.2 А | <7.2 А | <7.6 А | <7.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||