IRFI510GPBF

IRFI510, IRFI510G, IRFI510GPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFI510GIRFI510GPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<27 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
180 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<540 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V
Заряд затвора
QG
8.3 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard