IRFD9220PBF

IRFD9220, IRFD9220PBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFD9220PBF
Корпус микросхемы
Корпус
4-DIP, HVMDIP
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
340 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<560 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.5 ОмId, Vgs = 340mA, 10V
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard