На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFD9010PBF | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP, HVMDIP |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 240 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <50 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 580mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |