На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFBG30L | IRFBG30PBF | IRFBG30S | IRFBG30STRL | IRFBG30STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <125 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 980 пФVds = 25V | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.1 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 80 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||