IRFBC30AL

IRFBC30, IRFBC30A, IRFBC30AL, IRFBC30ALPBF, IRFBC30APBF, IRFBC30AS, IRFBC30ASPBF, IRFBC30ASTRL, IRFBC30ASTRLPBF, IRFBC30ASTRR, IRFBC30L, IRFBC30LPBF, IRFBC30PBF, IRFBC30S, IRFBC30SPBF, IRFBC30STRL, IRFBC30STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFBC30AIRFBC30ALIRFBC30ALPBFIRFBC30APBFIRFBC30ASIRFBC30ASPBFIRFBC30ASTRLIRFBC30ASTRLPBFIRFBC30ASTRRIRFBC30LIRFBC30LPBFIRFBC30PBFIRFBC30SIRFBC30SPBFIRFBC30STRLIRFBC30STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<74 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<74 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V510 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V660 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.2 ОмId, Vgs = 2.2A, 10V
Заряд затвора
QG
23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V31 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard