IRFBC20LPBF

IRFBC20, IRFBC20L, IRFBC20LPBF, IRFBC20PBF, IRFBC20S, IRFBC20SPBF, IRFBC20STRL, IRFBC20STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFBC20LIRFBC20LPBFIRFBC20PBFIRFBC20SIRFBC20SPBFIRFBC20STRLIRFBC20STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.1 Вт<3.1 Вт<50 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
350 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.4 ОмId, Vgs = 1.3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard