На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFB9N30A | IRFB9N30APBF | IRFB9N60A | IRFB9N60APBF | IRFB9N65A | IRFB9N65APBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Мощность | P | <96 Вт | <96 Вт | <170 Вт | <170 Вт | <167 Вт | <167 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 920 пФVds = 25V | 920 пФVds = 25V | 1.4 нФVds = 25V | 1.4 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V | 1.417 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <300 В | <300 В | <600 В | <600 В | <650 В | <650 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <9.3 А | <9.3 А | <9.2 А | <9.2 А | <8.5 А | <8.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <450 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <450 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V | <750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <750 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V | <930 мОмId, Vgs = 5.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 33 нCVgs = 10V | 33 нCVgs = 10V | 49 нCVgs = 10V | 49 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||