На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFB4410PBF | IRFB4410ZGPBF | IRFB4410ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220AB |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <250 Вт | <230 Вт | <230 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.15 нФVds = 50V | 4.82 нФVds = 50V | 4.82 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <96 А | <97 А | <97 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 58A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 180 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |