На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFB4110GPBF | IRFB4110PBF | IRFB4110QPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220AB |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <370 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 9.62 нФVds = 50V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <120 А | <120 А | <180 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 210 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||