IRFB4019

IRFB4019, IRFB4019PBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFB4019PBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<80 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
800 пФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<17 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<95 мОмId, Vgs = 10A, 10V
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard