На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFB23N15D | IRFB23N15DPBF | IRFB23N20D | IRFB23N20DPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Мощность | P | <3.8 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.96 нФVds = 25V | 1.96 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В | <150 В | <200 В | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <23 А | <23 А | <24 А | <24 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 14A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 56 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V | 86 нCVgs = 10V | 86 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||