На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRFB17N20D | IRFB17N20DPBF | IRFB17N50L | IRFB17N50LPBF | IRFB17N60K | IRFB17N60KPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Мощность | P | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <220 Вт | <220 Вт | <340 Вт | <340 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V | 2.76 нФVds = 25V | 2.76 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V | 2.7 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | <200 В | <500 В | <500 В | <600 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | <16 А | <16 А | <16 А | <17 А | <17 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.8A, 10V | <170 мОмId, Vgs = 9.8A, 10V | <320 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V | <320 мОмId, Vgs = 9.9A, 10V | <420 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <420 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | 50 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 130 нCVgs = 10V | 99 нCVgs = 10V | 99 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||