IRFB16

IRFB16, IRFB16N50K, IRFB16N50KPBF, IRFB16N60LPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRFB16N50KIRFB16N50KPBFIRFB16N60LPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<280 Вт<280 Вт<310 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.21 нФVds = 25V2.21 нФVds = 25V2.72 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В<500 В<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<17 А<17 А<16 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<350 мОмId, Vgs = 10A, 10V<350 мОмId, Vgs = 10A, 10V<460 мОмId, Vgs = 9A, 10V
Заряд затвора
QG
89 нCVgs = 10V89 нCVgs = 10V100 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard