IRF9540

IRF9540, IRF9540L, IRF9540N, IRF9540NL, IRF9540NLPBF, IRF9540NPBF, IRF9540NS, IRF9540NSPBF, IRF9540NSTRL, IRF9540NSTRLPBF, IRF9540NSTRR, IRF9540NSTRRPBF, IRF9540PBF, IRF9540S, IRF9540STRL, IRF9540STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF9540LIRF9540NIRF9540NLIRF9540NLPBFIRF9540NPBFIRF9540NSIRF9540NSPBFIRF9540NSTRLIRF9540NSTRLPBFIRF9540NSTRRIRF9540NSTRRPBFIRF9540PBFIRF9540SIRF9540STRLIRF9540STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.7 Вт<140 Вт<3.8 Вт<3.1 Вт<140 Вт<3.8 Вт<3.1 Вт<3.8 Вт<3.1 Вт<3.8 Вт<3.1 Вт<150 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.4 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.45 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.45 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.45 нФVds = 25V1.3 нФVds = 25V1.45 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V1.4 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<19 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<23 А<19 А<19 А<19 А<19 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<200 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 14A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 14A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 14A, 10V<117 мОмId, Vgs = 11A, 10V<117 мОмId, Vgs = 14A, 10V<200 мОмId, Vgs = 11A, 10V<200 мОмId, Vgs = 11A, 10V<200 мОмId, Vgs = 11A, 10V<200 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
61 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V97 нCVgs = 10V110 нCVgs = 10V61 нCVgs = 10V61 нCVgs = 10V61 нCVgs = 10V61 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard