IRF9530

IRF9530, IRF9530L, IRF9530N, IRF9530NL, IRF9530NLPBF, IRF9530NPBF, IRF9530NS, IRF9530NSPBF, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRLPBF, IRF9530NSTRR, IRF9530NSTRRPBF, IRF9530PBF, IRF9530S, IRF9530STRL, IRF9530STRLPBF, IRF9530STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF9530LIRF9530NIRF9530NLIRF9530NLPBFIRF9530NPBFIRF9530NSIRF9530NSPBFIRF9530NSTRLIRF9530NSTRLPBFIRF9530NSTRRIRF9530NSTRRPBFIRF9530PBFIRF9530SIRF9530STRLIRF9530STRLPBFIRF9530STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.7 Вт<79 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<79 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<88 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
860 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V760 пФVds = 25V860 пФVds = 25V860 пФVds = 25V860 пФVds = 25V860 пФVds = 25V860 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<14 А<12 А<12 А<12 А<12 А<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<200 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V<300 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
38 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V58 нCVgs = 10V38 нCVgs = 10V38 нCVgs = 10V38 нCVgs = 10V38 нCVgs = 10V38 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard