IRF9520L

IRF9520, IRF9520L, IRF9520N, IRF9520NL, IRF9520NLPBF, IRF9520NPBF, IRF9520NS, IRF9520NSPBF, IRF9520NSTRL, IRF9520NSTRLPBF, IRF9520NSTRR, IRF9520NSTRRPBF, IRF9520PBF, IRF9520S, IRF9520SPBF, IRF9520STRL, IRF9520STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF9520LIRF9520NIRF9520NLIRF9520NLPBFIRF9520NPBFIRF9520NSIRF9520NSPBFIRF9520NSTRLIRF9520NSTRLPBFIRF9520NSTRRIRF9520NSTRRPBFIRF9520PBFIRF9520SIRF9520SPBFIRF9520STRLIRF9520STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.7 Вт<48 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<48 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<60 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
390 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V350 пФVds = 25V390 пФVds = 25V390 пФVds = 25V390 пФVds = 25V390 пФVds = 25V390 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.8 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<480 мОмId, Vgs = 4A, 10V<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V<600 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V27 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard