На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF8721GPBF | IRF8721GTRPBF | IRF8721PBF | IRF8721TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC (3.9mm Width) | SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.04 нФVds = 15V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <14 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 14A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||