На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF8252TRPBF | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.305 нФVds = 13V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <25 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.7 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 53 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |