На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7832PBF | IRF7832TR | IRF7832TRPBF | IRF7832Z | IRF7832ZPBF | IRF7832ZTR | IRF7832ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.31 нФVds = 15V | 4.31 нФVds = 15V | 4.31 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V | 3.86 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <20 А | <20 А | <20 А | <21 А | <21 А | <21 А | <21 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||
Заряд затвора | QG | 51 нCVgs = 4.5V | 51 нCVgs = 4.5V | 51 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V | 45 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||