На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7822PBF | IRF7822TR | IRF7822TRL | IRF7822TRPBF | IRF7822TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <3.1 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.5 нФVds = 16V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||