На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7811A | IRF7811APBF | IRF7811ATR | IRF7811ATRPBF | IRF7811AV | IRF7811AVPBF | IRF7811AVTR | IRF7811AVTRPBF | IRF7811TR | IRF7811W | IRF7811WPBF | IRF7811WTR | IRF7811WTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <3.5 Вт | <3.1 Вт | <3.1 Вт | <3.1 Вт | <3.1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.8 нФVds = 16V | 1.76 нФVds = 15V | 1.8 нФVds = 16V | 1.76 нФVds = 15V | 1.801 нФVds = 10V | 1.801 нФVds = 10V | 1.801 нФVds = 10V | 1.801 нФVds = 10V | 1.8 нФVds = 16V | 2.335 нФVds = 16V | 2.335 нФVds = 16V | 2.335 нФVds = 16V | 2.335 нФVds = 16V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <28 В | <28 В | <28 В | <28 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <28 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <11.4 А | <11 А | <11.4 А | <11 А | <10.8 А | <10.8 А | <10.8 А | <10.8 А | <14 А | <14 А | <14 А | <14 А | <14 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <10 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <10 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <14 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <14 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <14 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <14 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <11 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <12 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||||||||
Заряд затвора | QG | 23 нCVgs = 5V | 26 нCVgs = 4.5V | 23 нCVgs = 5V | 26 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 5V | 26 нCVgs = 5V | 26 нCVgs = 5V | 26 нCVgs = 5V | 23 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V | 33 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |