IRF7809ATR

IRF7809, IRF7809A, IRF7809ATR, IRF7809AV, IRF7809AVPBF, IRF7809AVTR, IRF7809AVTRPBF, IRF7809PBF, IRF7809TR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF7809AIRF7809ATRIRF7809AVIRF7809AVPBFIRF7809AVTRIRF7809AVTRPBFIRF7809PBFIRF7809TR
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<2.5 Вт<3.5 Вт<3.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
7.3 нФVds = 16V7.3 нФVds = 16V3.78 нФVds = 16V3.78 нФVds = 16V3.78 нФVds = 16V3.78 нФVds = 16V7.3 нФVds = 16V7.3 нФVds = 16V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<28 В<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<14.5 А<14.5 А<13.3 А<13.3 А<13.3 А<13.3 А<14.5 А<17.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V<7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
75 нCVgs = 5V75 нCVgs = 5V62 нCVgs = 5V62 нCVgs = 5V62 нCVgs = 5V62 нCVgs = 5V86 нCVgs = 5V86 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandard