На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7809A | IRF7809ATR | IRF7809AV | IRF7809AVPBF | IRF7809AVTR | IRF7809AVTRPBF | IRF7809PBF | IRF7809TR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <3.5 Вт | <3.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.3 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 3.78 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V | 7.3 нФVds = 16V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <30 В | <28 В | <30 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <14.5 А | <14.5 А | <13.3 А | <13.3 А | <13.3 А | <13.3 А | <14.5 А | <17.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <8.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <9 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V | <7.5 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||
Заряд затвора | QG | 75 нCVgs = 5V | 75 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 62 нCVgs = 5V | 86 нCVgs = 5V | 86 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |