На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7663TR | IRF7663TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Micro8™ | |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.8 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.52 нФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8.2 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |