На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7492PBF | IRF7492TR | IRF7492TRPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.82 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.7 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <79 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 59 нCVgs = 10V | 59 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||