На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7478PBF | IRF7478QPBF | IRF7478QTRPBF | IRF7478TR | IRF7478TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), SO-8 | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) | 8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <2.5 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.74 нФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <26 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 31 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||