IRF7353D1PBF

IRF7353, IRF7353D1, IRF7353D1PBF, IRF7353D1TR, IRF7353D1TRPBF, IRF7353D2, IRF7353D2PBF, IRF7353D2TR, IRF7353D2TRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF7353D1IRF7353D1PBFIRF7353D1TRIRF7353D1TRPBFIRF7353D2IRF7353D2PBFIRF7353D2TRIRF7353D2TRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
650 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V<29 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V
Серия MOSFET
Серия
FETKY™
Заряд затвора
QG
33 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)