На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF7322D1 | IRF7322D1PBF | IRF7322D1TR | IRF7322D1TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 780 пФVds = 15V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.3 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <62 мОмId, Vgs = 2.9A, 4.5V | |||
Серия MOSFET | Серия | FETKY™ | |||
Заряд затвора | QG | 29 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |||