IRF6775MTR1PBF

IRF6775, IRF6775MTR1PBF, IRF6775MTRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF6775MTR1PBFIRF6775MTRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
DirectFET™ Isometric MZ
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.8 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.411 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4.9 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<56 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
Заряд затвора
QG
36 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard