На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF6722MTR1PBF | IRF6722MTRPBF | IRF6722STR1PBF | IRF6722STRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric ST | DirectFET™ Isometric ST |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <2.3 Вт | <2.3 Вт | <2.2 Вт | <2.2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.3 нФVds = 15V | 1.3 нФVds = 15V | 1.32 нФVds = 15V | 1.32 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <13 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7.7 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <7.7 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <7.3 мОмId, Vgs = 13A, 10V | <7.3 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 17 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||