На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF6712STR1PBF | IRF6712STRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DirectFET™ Isometric SQ | |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2.2 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.57 нФVds = 13V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <17 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.9 мОмId, Vgs = 17A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 18 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |