IRF6645TR1PBF

IRF6645, IRF6645TR1PBF, IRF6645TRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF6645TR1PBFIRF6645TRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
DirectFET™ Isometric SJ
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<3 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
890 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<35 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard