IRF6633ATR1PBF

IRF6633, IRF6633ATR1PBF, IRF6633TR1PBF, IRF6633TRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF6633ATR1PBFIRF6633TR1PBFIRF6633TRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
DirectFET™ Isometric MUDirectFET™ Isometric MPDirectFET™ Isometric MP
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.3 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.41 нФVds = 10V1.25 нФVds = 10V1.25 нФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<16 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.6 мОмId, Vgs = 16A, 10V
Заряд затвора
QG
17 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate