IRF6629TRPBF

IRF6629, IRF6629TR1PBF, IRF6629TRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF6629TR1PBFIRF6629TRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
DirectFET™ Isometric MX
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.8 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.26 нФVds = 13V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<29 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.1 мОмId, Vgs = 29A, 10V
Заряд затвора
QG
51 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate