IRF6215L

IRF6215, IRF6215L, IRF6215L-103, IRF6215L-103PBF, IRF6215LPBF, IRF6215PBF, IRF6215S, IRF6215SPBF, IRF6215STRL, IRF6215STRLPBF, IRF6215STRR, IRF6215STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF6215LIRF6215L-103IRF6215L-103PBFIRF6215LPBFIRF6215PBFIRF6215SIRF6215SPBFIRF6215STRLIRF6215STRLPBFIRF6215STRRIRF6215STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<110 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
860 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<13 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<290 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
66 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard