IRF620L

IRF620, IRF620B_FP001, IRF620L, IRF620PBF, IRF620S, IRF620SPBF, IRF620STRL, IRF620STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF620B_FP001IRF620LIRF620PBFIRF620SIRF620SPBFIRF620STRLIRF620STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<47 Вт<3 Вт<50 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт<3 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
390 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V260 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А<5.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerMESH™
Заряд затвора
QG
16 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V14 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard