На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF5803D2 | IRF5803D2PBF | IRF5803D2TR | IRF5803D2TRPBF | IRF5803TR | IRF5803TRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, 8-SOIC (3.9mm Width) | 6-TSOP, SO-8 | 6-TSOP, Micro6™(TSOP-6) | 6-TSOP, 6-TSOP |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <2 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.11 нФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.4 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <112 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | |||||
Серия MOSFET | Серия | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 37 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Diode (Isolated) | Logic Level Gate | Logic Level Gate |