На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF510L | IRF510PBF | IRF510S | IRF510SPBF | IRF510STRL | IRF510STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <3.7 Вт | <43 Вт | <3.7 Вт | <3.7 Вт | <3.7 Вт | <3.7 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 180 пФVds = 25V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.6 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <540 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V | |||||
Заряд затвора | QG | 8.3 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||