IRF3706LPBF

IRF3706, IRF3706L, IRF3706LPBF, IRF3706PBF, IRF3706S, IRF3706SPBF, IRF3706STRL, IRF3706STRLPBF, IRF3706STRR, IRF3706STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF3706LIRF3706LPBFIRF3706PBFIRF3706SIRF3706SPBFIRF3706STRLIRF3706STRLPBFIRF3706STRRIRF3706STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<88 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.41 нФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<77 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
35 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate