IRF3515L

IRF3515, IRF3515L, IRF3515LPBF, IRF3515S, IRF3515SPBF, IRF3515STRL, IRF3515STRLPBF, IRF3515STRR, IRF3515STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF3515LIRF3515LPBFIRF3515SIRF3515SPBFIRF3515STRLIRF3515STRLPBFIRF3515STRRIRF3515STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<200 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.26 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<41 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
107 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard