IRF3315

IRF3315, IRF3315L, IRF3315LPBF, IRF3315PBF, IRF3315S, IRF3315SPBF, IRF3315STRL, IRF3315STRLPBF, IRF3315STRR, IRF3315STRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF3315LIRF3315LPBFIRF3315PBFIRF3315SIRF3315SPBFIRF3315STRLIRF3315STRLPBFIRF3315STRRIRF3315STRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.8 Вт<3.8 Вт<94 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.3 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<21 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<82 мОмId, Vgs = 12A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
95 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard