На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF3007LPBF | IRF3007PBF | IRF3007SPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262 | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <120 Вт | <200 Вт | <120 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.27 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <75 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <62 А | <75 А | <62 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12.6 мОмId, Vgs = 48A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||
Заряд затвора | QG | 130 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||