На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF2903ZLPBF | IRF2903ZPBF | IRF2903ZSPBF | IRF2903ZSTRLP | IRF2903ZSTRRP | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262 | TO-220AB | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <231 Вт | <290 Вт | <231 Вт | <290 Вт | <231 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6.32 нФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.4 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 240 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||