На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRF1503LPBF | IRF1503PBF | IRF1503SPBF | IRF1503STRLPBF | IRF1503STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <200 Вт | <330 Вт | <200 Вт | <200 Вт | <200 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.73 нФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.3 мОмId, Vgs = 140A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 200 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||