IRF1310

IRF1310, IRF1310N, IRF1310NL, IRF1310NLPBF, IRF1310NPBF, IRF1310NS, IRF1310NSPBF, IRF1310NSTRL, IRF1310NSTRLPBF, IRF1310NSTRR, IRF1310NSTRRPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRF1310NIRF1310NLIRF1310NLPBFIRF1310NPBFIRF1310NSIRF1310NSPBFIRF1310NSTRLIRF1310NSTRLPBFIRF1310NSTRRIRF1310NSTRRPBF
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<160 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<160 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.9 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<42 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<36 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard